我国科研团队完成一种新型光刻胶技术初步验证

据科技日报报道，华中科技大学与湖北九峰山实验室联合研究团队成功研发“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术，相关成果已发表在国际期刊《化学工程杂志》上，并在生产线上完成初步工艺验证。

光刻胶是半导体制造的关键材料，直接关系到集成电路的性能、成品率和可靠性。该新型光刻胶体系表现出优于多数商用光刻胶的性能，其光刻图像形貌优良，线边缘粗糙度低，且符合半导体量产制造对效率和吞吐量的要求。

此次研发的技术为解决光刻制造共性难题提供了新方向，并为极紫外线光刻机光刻胶的开发奠定了技术基础。有望进一步推动我国半导体产业的发展。