广州出台集成电路产业新政 打造国产芯片第三极核心区

近日，广州开发区经济和信息化局、广州市黄埔区工业和信息化局联合印发《广州开发区 黄埔区支持集成电路产业高质量发展若干政策措施》，助力打造中国集成电路产业第三极核心承载区。其中提到，优化产业发展布局，在芯片设计、特色工艺、先进封装测试、EDA工具、装备及零部件等领域实现突破，打造涵盖设计、制造、材料、装备与零部件、封测等环节的全产业链，建设综合性集成电路产业聚集区。

重点突破CPU（中央处理器）、GPU（图形处理器）、FPGA（现场可编程门阵列）等高端芯片设计，大力支持人工智能芯片、光芯片、物联网芯片、存储芯片、射频芯片、基带芯片、车规级芯片、显示驱动芯片等芯片的开发设计，鼓励企业自主开展基于新器件、新材料、新工艺的RISC-V、ARM等高端芯片架构设计。对使用多项目晶圆（MPW）流片进行研发或首次完成全掩膜（Full mask）工程流片的设计企业，以及开展高端传感器首轮流片的智能传感器企业，按照不高于流片费用40%分档给予补助（相关费用按照不含税计算），每家企业每年最高补贴500万元。

鼓励发展光掩模、电子气体、光刻胶、抛光材料、高纯靶材等高端半导体和传感器制造材料。积极引进国内重点基础材料企业，稳步提升关键基础材料供应能力。重点围绕集成电路制造关键部件和系统集成开展持续研发和技术攻关，支持光刻、清洗、刻蚀、离子注入、沉积等设备、关键零部件及工具国产化替代。对于新引进的固定资产投资1000万元以上的产业化项目，且政策有效期内实现小升规的企业，按照不超过其设备和工器具投资额的15%分档给予扶持，最高1000万元。

相关链接：广州开发区 黄埔区支持集成电路产业高质量发展若干政策措施